FREE SHIPPING ON ALL BUSHNELL PRODUCTS

MMBT4401LT1G NPN 600mA 40V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Bipolární tranzistory – BJT RoHS

Stručný popis:

Výr. část: MMBT4401LT1G
Výrobce: ON Semiconductor
Balení: SOT-23(SOT-23-3)
Popis: Bipolární tranzistory – BJT 600mA 60V NPN
Datasheet: Kontaktujte nás.


Detail produktu

Štítky produktu

Parametr produktu

Atribut Hodnota
Výrobce: ON Semiconductor
Kategorie produktů: Bipolární tranzistory - BJT
RoHS: Podrobnosti
Styl montáže: SMD/SMT
Balíček / pouzdro: SOT-23-3
Polarita tranzistoru: NPN
Konfigurace: Singl
Napětí kolektoru VCEO Max: 40 V
Sběratel – základní napětí VCBO: 60 V
Emitor – základní napětí VEBO: 6 V
Saturační napětí kolektor-emitor: 0,75 V
Maximální DC kolektorový proud: 0,6 A
Pd - ztrátový výkon: 225 mW
Získat šířku pásma produktu fT: 250 MHz
Minimální provozní teplota: - 55 C
Maximální provozní teplota: + 150 C
Série: MMBT4401L
Obal: Řez pásku
Obal: MouseReel
Obal: Role
Výška: 0,94 mm
Délka: 2,9 mm
Technika: Si
Šířka: 1,3 mm
Značka: ON Semiconductor
Průběžný kolektorový proud: 0,6 A
DC kolektor/základní zisk min. hfe: 20
Typ produktu: BJTs - bipolární tranzistory
Tovární množství balení: 3000
Podkategorie: Tranzistory
Jednotková hmotnost: 0,001058 oz

  • Předchozí:
  • Další:

  • Zde napište svou zprávu a pošlete nám ji